一种射频功放记忆效应改善及模型简化方法

作者：张雷; 周健义; 赵嘉宁; 翟建锋; 洪伟

来源：微波学报, 2009, (02): 65-69.

• 功率放大器
• 记忆效应
• 记忆长度
• 行为级模型 Power amplifier
• Memory effects
• Memory length
• Behavioral model

研究了一种改善射频功放记忆效应的方法并对所设计的低记忆功放进行了行为级建模。设计了10W峰值功率的射频功放,通过加载漏级低阻抗终端并结合最佳电流偏置的方法来减少功放的记忆效应。在建模过程中应用了Cao方法估计功放的记忆长度并进行了验证。基于上述技术,文中所设计的低记忆射频功放能够用简单模型精确描述。实验结果表明,对设计的低记忆功放,采用仅包含7个复系数的Hammerstein模型就可以得到-48.5dB的归一化均方误差(NMSE)指标。

• 单位
  毫米波国家重点实验室; 东南大学