新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化

作者：糜昊; 马鑫; 苗渊浩; 芦宾^*

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(06): 441-448.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.06.015

• 隧穿场效应晶体管(TFETs)
• 线隧穿
• Ge/Si异质结
• 环栅
• 亚阈值摆幅

设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管（GAA-LTFET），并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析，通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制，消除了转移电流曲线上的驼峰现象，提高器件特性。此外，还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化，最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec，开态电流可达0.64μA/μm，开关比值约为9×108，该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 山西师范大学