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摘要
本发明公开了一种SnS_2量子点/Si二元纳米阵列光电催化剂及其制备方法,选用硅作为光吸收基底能够吸收更宽范围的太阳光光谱,通过化学刻蚀法制备的具有纳米阵列的硅纳米线阵列表面呈黑色,能够增加入射光的反射几率,增强硅基底光吸收效率；通过一步水热法制备SnS_2纳米材料,利用超声冷冻循环处理断裂SnS_2层与层之间的范德华力,得到的SnS_2量子点能够暴露出更多的边缘活性位点,更利于析氢反应的进行；通过旋涂后退火的方式将SnS_2量子点负载在硅纳米阵列表面形成有效的二元异质结结构用作光电阴极,两者的协同作用能够显著提高太阳光吸收效率,促进载流子的分离效率,降低复合几率,保证光电催化反应高效稳定的进行。
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