Si/WO3/BiVO4光电阳极的制备与PEC性能的研究

作者：张沈峰; 石刚^*

来源：化工时刊, 2021, 35(05): 15-31.

DOI：10.16597/j.cnki.issn.1002-154x.2021.05.005

• 光电阳极
• Si/WO3/BiVO4
• PEC

Si在阳极偏压下会被快速氧化,导致较差的光电化学(PEC)性能。但是它可以与WO3/BiVO4耦合,构造串联式光电阳极Si/WO3/BiVO4系统以用于PEC水分解制氧。因此,本文详细研究了通过水热方法在Si表面生长WO3纳米棒,并通过旋涂法在WO3纳米棒的表面负载BiVO4纳米颗粒构筑Si/WO3/BiVO4光电阳极。通过调节钨酸钠前驱液的pH和水热生长时间来获得最佳生长条件。最终,Si/WO3/BiVO4光电阳极表现出在1.0 V vs SCE下约为0.04 mA·cm-2的光电流密度。

• 单位
  化学与材料工程学院; 江南大学