Si/WO3/BiVO4光电阳极的制备与PEC性能的研究

作者:张沈峰; 石刚*
来源:化工时刊, 2021, 35(05): 15-31.
DOI:10.16597/j.cnki.issn.1002-154x.2021.05.005

摘要

Si在阳极偏压下会被快速氧化,导致较差的光电化学(PEC)性能。但是它可以与WO3/BiVO4耦合,构造串联式光电阳极Si/WO3/BiVO4系统以用于PEC水分解制氧。因此,本文详细研究了通过水热方法在Si表面生长WO3纳米棒,并通过旋涂法在WO3纳米棒的表面负载BiVO4纳米颗粒构筑Si/WO3/BiVO4光电阳极。通过调节钨酸钠前驱液的pH和水热生长时间来获得最佳生长条件。最终,Si/WO3/BiVO4光电阳极表现出在1.0 V vs SCE下约为0.04 mA·cm-2的光电流密度。

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