GaN共振隧穿二极管及THz振荡器仿真

作者：何寒冰; 杨林安; 郝跃; 武小虎; 梅楠

来源：新型工业化, 2011, (10): 74-78.

DOI：10.19335/j.cnki.2095-6649.2011.10.010

• GaN共振隧穿二极管
• AlGaN/GaN异质结
• 界面陷阱 GaN Resonant tunneling diode
• AlGaN/GaN Heterojunction
• interface trap

本文利用Silvaco软件对Ga N共振隧穿二极管(Ga N RTD)进行仿真,重点考虑了界面陷阱密度对Ga N RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示,当密度大于5×1010 cm-2时,器件的负阻特性几乎消失;当密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2时,器件负阻特性会随着测量次数的增加而退化。同时结合Hspice,对由Ga N RTD构成的THz振荡器进行仿真,首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和RF转化效率交流特性影响的定量结果。

• 单位
  西安电子科技大学