纳米FinFET的单粒子瞬态与Fin结构的相关性研究

作者：刘保军^*; 陈名华

来源：微电子学, 2023, 53(02): 338-343.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220177

• FinFET
• 单粒子瞬态
• Fin结构
• 相关性
• 工艺差异

工艺差异引起的Fin结构变化会造成纳米FinFET器件呈现不同的电学特性，使器件的单粒子瞬态效应(SET)复杂化。基于电学特性校准的14 nm SOI标准型FinFET器件，构建了弹头型、三角型、阶梯型、半圆型及底部椭圆型等5种结构，分析了SET的表征量与Fin结构参数间的相关性，并利用灰色理论，研究了它们之间的内在关联性。结果表明，器件的收集电荷量、沉积电荷量与Fin的截面积显著相关；SET电流峰值、电子-空穴对产生率峰值及双极放大系数同时依赖于Fin的截面积和等效沟道宽度，且对等效沟道宽度的依赖性更强。

• 单位
  空军工程大学