1200V/36 A SiC MOSFET短路特性的实验研究

作者：魏昌俊; 孙鹏; 柯俊吉; 赵志斌; 杨霏

来源：智能电网, 2017, 5(08): 765-772.

DOI：10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.006

• SiC MOSFET
• 短路特性
• 短路测试
• 实验研究

短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSFET非破坏性短路测试实验平台,从短路脉冲宽度、栅源极电压UGS、栅极电阻RG、漏源极电压UDS、杂散电感LS、壳温度TCASE等方面对1 200 V/36 A SiC MOSFET的短路特性进行全参数实验,综合评估和分析SiC MOSFET器件在不同参数下发生短路的开关瞬态特性。

• 单位
  新能源电力系统国家重点实验室; 华北电力大学; 全球能源互联网研究院