Mg_2Si_(1-x)Sn_x(0≤x≤1)化合物的低温固相反应合成与热电性能研究

作者：柳伟; 鄢永高; 唐新峰

来源：功能材料, 2009, (10): 1640-1642.

• Mg2Si1-xSnx
• 低温固相反应
• 固溶
• 热电性能 Mg_2Si_(1-x)Sn_x
• low-temperature solid state reaction
• solid solution
• thermoelectric properties

采用低温固相反应法结合放电等离子体烧结法(SPS)合成了Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1)三元化合物,研究了Sn固溶量对化合物热电性能的影响。结果表明,随Sn含量增加,材料电导率增加,Seebeck系数减小;材料晶格热导率先减小后增加,x=0.4时化合物晶格热导率最低,同时固溶体化合物的晶格热导率远低于Mg2Si和Mg2Sn二元化合物的晶格热导率,在室温附近Mg2Si1-xSnx固溶体化合物的晶格热导率均约为Mg2Si的1/3和Mg2Sn的1/2;Mg2Si0.8Sn0.2化合物具有最好的热电性能,在640K获得最大热电优值0.16。

• 单位
  材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学