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摘要
综述了飞秒激光制备掺杂黑硅及其在光电子领域应用中的研究进展。介绍了硅表面微纳结构及黑硅中杂质能带的形成机制,分析了飞秒激光制备黑硅过程中的影响因素,重点阐述了在含硫系元素(硫、硒、碲)的气体、液体、固体膜层环境下,或是采用高能离子注入后,如何利用飞秒激光脉冲实现硫系元素在硅中的超饱和掺杂。评论了飞秒激光制备掺杂黑硅技术中存在的问题并展望黑硅的应用前景。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 光电信息学院; 四川轻化工大学
