基于各向异性磁阻的开关芯片的制备及优化

作者：艾明哲; 贾雅婷; **志; 徐慧中; 彭斌

来源：功能材料, 2013, (04): 577-580.

• 各向异性磁阻
• NiFe薄膜
• 缓冲层
• 磁阻开关 anisotropic magnetoresistance effect
• NiFe thin film
• Ta buffer layer
• magnetic switch

采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜性能的影响,通过测试结果可以得到,当溅射功率由小变大时,NiFe薄膜的磁阻值也由小变到大。当Ta层的厚度在5nm左右时,NiFe更容易形成(111)织构,这时其磁阻值也最大。利用优化后的工艺,在晶元上制备NiFe薄膜,测试结果显示出开关特性,其开关场分别在398和796A/m左右。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学