ICP-CVD制备高质量疏水性碳氟聚合物薄膜的研究

作者：岳瑞峰; 曾雪锋; 吴建刚; 康明; 刘理天

来源：真空科学与技术学报, 2006, (03): 168-171.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2006.03.002

• 碳氟聚合物薄膜
• 疏水性
• 感应耦合等离子体化学气相淀积
• 化学键结构 Fluorocarbon polymer film
• Hydrophobicity
• ICP-CVD
• Bonding configuration

在室温下以c-C4F8为反应气体,采用电感耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD)法制备出碳氟聚合物薄膜,研究了工艺条件与薄膜的光、电性能和结构与疏水性的相关性。结果表明,薄膜结构均匀致密,主要由C-CFX、CF、CF2和CF3组成;当射频功率为400 W,c-C4F8的流量为40 sccm时,制备出的薄膜和去离子水之间的接触角高达112°。

• 单位
  清华大学