一种基于单层MoS₂薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器

作者：李国强; 郑昱林; 王文樑; 唐鑫; 柴吉星; 孔德麒

来源：2019-10-31, 中国, ZL201921860286.5.

本实用新型公开了一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器。所述自供电紫外探测器,自下至上依次包括衬底、GaN纳米柱阵列、所述GaN纳米柱阵列顶上支撑着的单层MoS2薄膜；所述单层MoS2薄膜上设有第一金属电极；所述GaN纳米柱阵列底端处设有第二金属电极。本实用新型的自供电紫外探测器将单层MoS2薄膜转移至生长的GaN纳米柱阵列顶部形成异质结,并利用了MoS2-GaN异质结的PV效应,极大程度减小了器件的尺寸体积,对光电集成器件应用前景重大。

• 单位
  华南理工大学