摘要
针对传统片外电容型LDO噪声较差的问题,基于180nm BCD工艺,设计了一款具有折返电流限保护功能的低噪声LDO电路。基准与误差放大器间插入一阶RC低通滤波器,可滤除基准输出高频噪声,并取消传统LDO电路中的反馈电阻,从而降低噪声。通过折返电流限保护电路实现限流和折返功能。合理设置短路电流,有效避免LDO在启动或恢复过程中进入锁定状态。仿真结果表明,LDO在输入电压为4~5V时可稳定输出2V电压,最大带载电流为70mA,过流限为120mA。典型情况下的噪声功率谱在1kHz处为12.7nV/■,RMS噪声为3.6μV。
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单位电子科技大学广东电子信息工程研究院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学