Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器性能的影响

作者：沈文; 吴九九; 高云; 冀慎统; 陈德良; 余宏^*

来源：数字技术与应用, 2021, 39(03): 197-199.

DOI：10.19695/j.cnki.cn12-1369.2021.03.63

• Silvaco TCAD
• Mg2Si/Si异质结
• 光电探测器

利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg2Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器的反向击穿电压、正向导通电压、响应度、噪声等效功率等性能的影响。仿真计算结果表明:Mg2Si浓度不影响Mg2Si/Si异质结光电探测器的反向击穿电压和正向导通电压;不同Mg2Si浓度Mg2Si/Si异质结光电探测器的响应度随入射光波长的增加而先增加后减小;随着Mg2Si浓度的增加,Mg2Si/Si异质结光电探测器的噪声等效功率依次减小;入射光波长为685nm时,不同Mg2Si浓度的Mg2Si/Si异质结光电探测器的噪声等效功率均达到最小值。

• 单位
  贵州师范学院