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摘要
酸性矿山废水（AMD）主要由于尾矿中黄铁矿被腐蚀产酸所造成，太阳光照是不容忽视的重要因素，黄铁矿的光腐蚀过程会导致AMD浸出风险增大。三乙烯四胺二硫代氨基甲酸钠（DTC-TETA）在黄铁矿表面形成共价钝化膜，光照条件下，总铁浸出抑制率为99.6%，Fe~(3+)浸出抑制率达到100%。扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱（SEM-EDS）、X射线衍射光谱（XRD）和透射电子显微镜（TEM）表征表明DTC-TETA稳定了光化学反应中黄铁矿的结构。DTC-TETA在黄铁矿表面通过含N基团的给电子特性，消耗了AMD浸出模拟液中光致活性氧自由基（ROS，·OH），光照10 h以内·OH生成速率先增大后降低，抑制了金属半导体尾矿的光化学腐蚀反应过程。
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单位环境科学与工程学院; 桂林理工大学
