基于IGBT有源门极控制的EMI抑制方法研究

作者：郑琦琦; 杜明星; 孙德明; 魏克新

来源：电力电子技术, 2016, 50(12): 8-37.

• 绝缘栅双极型晶体管
• 有源门极控制
• 抑制方法

随着大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)广泛应用于电力电子装置,其产生的电磁干扰(EMI)问题成为研究热点。IGBT有源门极控制(ACC),该控制方法在关断瞬间获得不同的反馈增益,进而抑制关断电压尖峰。在此分析电路的工作原理、系统稳定性及门极电压波形,利用Saber仿真软件建立IGBT串联电路模型,在传导干扰测试频率范围内,考虑寄生参数的情况下,仿真了IGBT在传统门极控制和AGC下的共模/差模(CM/DM)干扰。搭建实验平台,通过测试得到AGC下对系统产生的EMI抑制效果更好,对电力电子装置传导EMI的抑制分析具有重要意义。

• 单位
  天津理工大学