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摘要
本工作以单晶硅为衬底、四（二甲氨基）锡和水为前驱体，研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能，并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度，详细研究了沉积温度对SnO2薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影响，采用钙钛矿太阳能电池器件辅助验证SnO2薄膜的性能。研究发现，随着基底温度的升高，沉积速率逐渐下降，原子层沉积的温度窗口在120～250℃;折射率随着温度的升高逐渐增大，带隙随温度升高而减小；沉积温度越高，表面氧空位缺陷浓度越大。SnO2薄膜的工艺温度对钙钛矿太阳能电池性能有较大影响，采用160℃沉积的SnO2薄膜作钙钛矿太阳能电池的电子传输层，可获得最优的电池性能，反扫最高效率为18.68%,此时器件的截止电压为1.077 V,短路电流密度为23.67 mA/cm2,填充因子为73.3%,且器件具有较小的迟滞效应。
- 单位
