摘要

铁电存储器读写时间短、功耗低、可重复擦除性好,因此,在航天航空、军事和公共交通等领域得到了越来越广泛的应用。一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构是常见的铁电存储器存储单元。本文对1T1C铁电存储阵列提出了几种基于电气缺陷的故障模型,包括晶体管常开、常关、开路和桥接故障。与现有的存储器故障相比,发现了两个新的故障,即写入故障(WDF)和动态写入故障(dWDF)。此外,还提出了一种改进的March C-1T1C测试,可以有效覆盖现有的故障和新发现的故障。

  • 单位
    西昌学院