近年来,光纤通信技术的迅速发展使得超高速砷化镓集成电路的研究成为必然。用深亚微米工艺实现高速、高性能芯片设计的工艺也已成为国内外研究的热点。文章对各种工艺特点进行研究对比,以便尽可能发挥各种工艺的优点。得到关于具体芯片如何选择合适设计工艺的方案。