SnO2-x透明导电薄膜的制备及其导电性能研究

作者：闫军锋; 邓周虎; 张志勇; 张富春; 王雪文

来源：电子元件与材料, 2006, 25(7): 59-62.

DOI：10.3969/j.issn.1001-2028.2006.07.020

• 无机非金属材料
• SnO2-x
• MO-PECVD
• 透明导电薄膜
• 密度泛函理论

以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2-x薄膜.并用XRD、AFM等对样品进行分析.结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间为2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为36.5 Ω/□,紫外–可见光透射率在90%以上.