一种抑制单粒子瞬态响应的SiGe HBT工艺加固技术仿真

作者：易孝辉; 谭开洲; 张培健; 魏佳男; 洪敏; 罗婷; 徐开凯

来源：微电子学, 2023, 53(06): 965-970.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230363

• SiGe BiCMOS
• SiGe HBT
• 单粒子瞬态
• 电荷收集
• 深P阱

基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺，开展了无深槽NPN SiGe HBT工艺和器件仿真。模拟了带深P阱SiGe HBT的制备过程、常规电学特性和重离子单粒子效应。该器件与常规器件相比表现出更优的单粒子瞬态(SET)特性，在关态的SET响应峰值下降了80%,在最大特征频率工作点的SET响应峰值下降了27%,瞬态保持时间也大幅减小。使用深N阱和深P阱隔离同时抑制了集电区-衬底结的漂移载流子收集和衬底扩散载流子收集的过程，极大地提高了器件的SET性能。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室