Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究(英文)

作者：何诺天; 唐慧丽; 刘波; 张浩; 朱智超; 赵衡煜; 徐军

来源：人工晶体学报, 2020, 49(08): 1534-1561.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.08.019

• 氧化镓
• Ge掺杂
• 发光性能
• 快衰减

采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。

• 单位
  同济大学; 高等研究院