应用于太赫兹频段的GaN肖特基二极管及其制备方法

作者：张进成; 宋秀峰; 赵胜雷; 党魁; 张雅超; 姚一昕; 霍树栋; 郝跃

来源：2023-06-15, 中国, CN202310712538.4.

本发明公开了一种应用于太赫兹频段的GaN肖特基二极管,包括：衬底；缓冲层,叠加在衬底之上；n+GaN层,叠加在缓冲层之上；空气槽,通过刻蚀缓冲层和n+GaN层形成；渐变n-GaN漂移层,叠加在空气槽的第一侧的n+GaN层上；渐变n-GaN漂移层的掺杂浓度由下至上逐渐降低；阳极电极,制备在渐变n-GaN漂移层上；阴极电极,制备在空气槽的第一侧的n+GaN层上,且与渐变n-GaN漂移层和阳极电极隔开；金属桥接结构,一端搭接在阳极电极上,另一端搭接在空气槽的第二侧的n+GaN层上,以在GaN肖特基二极管中形成空气桥。该GaN肖特基二极管可用于太赫兹频段。

• 单位
  西安电子科技大学