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摘要
本发明提供了一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法,主要解决现有器件无法平衡存储性能以及进行非破坏性读取,导致器件性能不佳的问题。主要结构为金属/铁电/绝缘体/半导体叠层结构,从下至上包括重掺杂P型Si衬底以及依次生长沉积的SiO-2绝缘层、AlBN铁电层和钛/金顶电极；其中AlBN铁电层为厚度小于5nm的AlBN薄膜,钛/金顶电极是钛层位于金层下的两层结构,钛层直接接触AlBN铁电层。本发明利用AlBN材料的高极化强度和铁电特性的优势调节肖特基势垒形成高阻态和低阻态,能够进一步压缩器件尺寸,并提升存储性能和可擦写次数,在铁电隧道结存储器方面具备广阔的应用前景。
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