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摘要
为了深入研究H2和H2O进入氧化层后对双极器件辐射效应的影响机制，以栅控双极晶体管为研究载体，分别开展了不同浓度H2浸泡中的辐照试验和温湿度试验后的总剂量辐照试验。试验结果表明，随着氢气浸泡浓度的增加，器件的抗辐射能力逐渐降低；而温湿度试验后，由于水汽的进入，器件在随后的辐照试验过程中辐射损伤呈增大趋势。在此基础上，利用栅控栅扫描法进行氧化层辐射感生缺陷的定量分离，发现H2和H2O进入器件氧化层后，均会造成辐射感生界面陷阱电荷Nit的增加，并在一定程度上降低辐射感生氧化物陷阱电荷Not的量，结合理论分析进一步给出了H2和H2O造成器件损伤增强的潜在机制。研究成果对于辐射环境用电子系统的抗辐射性能评价和应用具有参考意义。
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单位西北核技术研究所; 西安交通大学
