多晶硅薄膜残余应力显微拉曼谱实验分析

作者：吴昊; 孟永钢; 苏才钧; 郭占社; 温诗铸

来源：机械强度, 2007, (02): 233-236.

DOI：10.16579/j.issn.1001.9669.2007.02.013

• 拉曼谱
• 多晶硅
• 薄膜
• 残余应力 Raman spectrum
• Polysilicon
• Thin film
• Residual stress

利用显微拉曼谱对桥式多晶硅薄膜梁的残余应力进行测量,该多晶硅薄膜采用典型的MEMS(micro-electro-mechanical systems)工艺制造。实验结果表明,多晶硅薄膜梁的中部存在很大的拉伸残余应力(约1GPa),且多晶硅薄膜的残余应力沿梁长方向大致呈对称分布,这种内应力分布与制造过程中的ICP(inductively-coupled plasma)工艺密切相关。多晶硅薄膜梁在残余应力作用下的变形情况可以通过WYKO白光形貌仪准确地表征,经过ANSYS计算,薄膜残余应力分布状况与显微拉曼谱法的测量结果吻合。因而,显微拉曼谱法是测量多晶硅薄膜残余应力的一种准确而可靠的方法。

• 单位
  摩擦学国家重点实验室