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摘要
碳化硅MOSFET凭借其高压、高温和高频等优异性能逐渐在工业中得到应用，然而碳化硅MOSFET并联电流分配不均衡问题限制了其性能发挥，并增加失效风险。为了充分发挥碳化硅MOSFET的性能优势，本文首先从芯片参数、功率回路参数和驱动回路参数三个方面阐述并联电流分配不均衡影响因素，然后综述了近年来国内外抑制并联不均衡电流的研究成果，对电流不均衡抑制方法从电流均衡种类、扩展难度、集成难度和经济成本四个维度进行了综合比较分析。最后，根据现有研究不足与面临挑战，本文对碳化硅MOSFET并联电流分配不均衡抑制方法进行展望。
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单位新能源电力系统国家重点实验室; 南瑞集团公司(国网电力科学研究院); 华北电力大学
