微重力条件下的InxGa1-xSb晶体生长研究

作者：方婧红; 夏朝阳; 王慧; 张阳; 汪超越; 贺欢; 倪津崎; 李勤; KUMAR VeluNirmal; INATOMI Yuko; HAYAKAWA Yasuhiro; OKANO Yasunori; 余建定^*

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2020, 50(04): 55-65.

• InxGa1-xSb
• 微重力
• 晶体生长

InxGa1-xSb晶体是吸收波长可以在1.7–6.8μm范围内调控的三元半导体晶体,在红外探测、热光伏电池领域具有重要的应用前景,但由于其固液相线相距很远,容易形成成分偏析和结晶缺陷,且重力对流会增加晶体生长界面处物质输送的不均匀性,使得地面环境下难于生长高质量的InxGa1-xSb晶体.微重力环境由于抑制了自然对流,为晶体生长提供了良好条件,本文综述了微重力环境对InxGa1-xSb半导体晶体成分偏析和晶体缺陷的影响,并介绍了中国返回式微重力科学卫星实践十号上的InxGa1-xSb三元晶体的空间生长实验成果.

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院大学