以四甲基硅烷作为单一反应前驱体气源，采用等离子体增强化学气相沉积法在Si晶片(100)上生长SiC薄膜，研究了电极距离对薄膜微观结构和性能的影响。结果表明：在实验设定的5～9 cm电极距离下所制备的薄膜成分以SiC键为主，具有极低的表面粗糙度(1.30～2.44 nm)和较高的硬度与弹性模量比(H/E值为0.134～0.154);电极距离越短，薄膜的密度越高。实验结果为SiC薄膜在惯性约束聚变实验中的应用奠定了基础。
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