基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法

作者：宁静; 张弛; 王东; 张进成; 沈雪; 陈智斌; 马佩军; 郝跃

来源：2018-06-28, 中国, ZL201810689886.3.

本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法。其方案是：在蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜得到基板；在金属衬底上生长石墨烯,将石墨烯转移到基板上,得到覆盖石墨烯的基板,并对其进行热处理；在热处理后的覆盖石墨烯基板上生长N型GaN,得到N型GaN基板；在N型GaN基板上生长多量子阱层；在多量子阱层上生长P型GaN层；在P型氮化镓上旋涂得到透明导电层；对P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层进行干法刻蚀；生长SiO2保护层；干法刻蚀出电极区并生长电极,完成器件制备。本发明提高了石墨烯插入层和GaN外延层的质量,从而提升了LED的发光效率,可用于制作GaN基半导体器件。

• 单位
  西安电子科技大学