高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

作者：康传振; 王海龙; 龚谦; 严进一; 成若海; 汪洋; 柳庆博; 曹春芳; 岳丽

来源：光电子.激光, 2014, 25(07): 1279-1283.

DOI：10.16136/j.joel.2014.07.021

• 量子点激光器(QDL)
• 外腔
• 光栅
• 边模抑制比(SMSR)

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续调谐测试和输出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长从999.2nm到1 023.8nm,并且实现了波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1 525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功率为15mW,单模边模抑制比(SMSR)高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 曲阜师范大学; 中科院上海微系统与信息技术研究所