Nor-Flash技术中HDP CVD制程能力的改善及其工艺稳定性研究

作者：倪立华; 陆神洲; 张守龙

来源：集成电路应用, 2018, 35(09): 28-33.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.09.007

• 集成电路制造
• 良率损失
• HDP CVD
• 工艺控制

以Nor-Flash平台HDP CVD制程在工艺转移过程中所出现的良率损失(良率指标A,Index-A失效)问题为研究对象,从CVD工艺角度探索解决方案,通过实验设计及结果分析,创新性地提出在高刻蚀沉积比条件下沟槽保形生长的失效模型,并在此基础上有针对性地优化和调整工艺参数。经实验证明,改良后的HDP CVD制程能有效解决Index-A失效问题,满足大生产的需要。