文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带(17～35 GHz)双刀双掷功率开关芯片,同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关。在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB,隔离度典型值为27 dB。装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力。芯片尺寸仅为3×2.5 mm2。该功率开关芯片可广泛应用于多功能雷达射频组件中,用于发射/接收的切换和极化方向的选择。
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