摘要
Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4太阳能电池制备过程中Mo基底硒(硫)化反应产生较厚的Mo(Sx,Se1-x)2,以及SnS(e)与ZnS(e)的生成与挥发在Mo/CZTSSe界面处产生的孔洞,是限制器件性能提升的重要原因。针对这些问题,总结了Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞的生成原因及其对器件性能的影响。此外,还综述了金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等材料作为Mo/CZTSSe界面中间层在抑制Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞产生中的作用。最后,展望了该领域未来的研究方向。
-
单位河南理工大学; 许昌学院; 材料学院