异质结功率器件及其制作方法

作者：毛维; 刘晓雨; 杨翠; 杜鸣; 高北鸾; 王海永; 马佩军; 赵胜雷; 张进成; 郝跃

来源：2020-12-31, 中国, ZL202011643734.3.

本发明公开了一种异质结功率器件及其制作方法,主要解决现有氮化镓基器件存在电流崩塌现象和击穿电压低的问题,其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源槽(7)、漏槽(8)、源极(9)、漏接触(10)、浮岛金属(11)、漏岛金属(12)、栅极(14)和钝化层(16)。势垒层上从左到右依次设有栅岛(4)、浮岛(5)和漏岛(6)；浮岛(5)由2n-1个独立P型半导体块组成,漏岛(6)由m个P型半导体长方体块组成,每个长方体块之间设有凹槽(13)；该凹槽的内部、前后及右侧均淀积有金属,形成肖特基接触(15)。本发明能抑制电流崩塌,提高击穿电压,正向阻断与反向阻断好,可用于电力电子系统的基本器件。

• 单位
  西安电子科技大学