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摘要
本发明公开了一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管的制备方法,主要解决现有方法制作的氧化镓肖特基二极管的开启电压高的问题,其实现方案为：对氧化镓衬底进行清洗；对清洗后的氧化镓衬底表面进行表面修复的预处理,采用氢化物气相外延技术HVPE在预处理后的氧化镓衬底正面进行生长氧化镓外延层；采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属,并对其进行欧姆退火；对氧化镓外延层进行笑气电感耦合等离子体处理,并采用光刻形成阳极图案；根据阳极图案采用电子束蒸发沉积肖特基阳极金属,完成器件制作。本发明降低了肖特基二极管的开启电压；提高了漂移层的电子迁移率,从而减小了导通电阻,可用于大功率、高电压、高频整流。
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