基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究

作者:李颖; 张治国; 郑东明; 梁峭; 张哲; 刘剑; 祝永峰
来源:仪表技术与传感器, 2017, (05): 10-18.

摘要

硅压阻压力传感器核心部件一般是由单晶硅和玻璃组成的微结构,由于单晶硅和玻璃的材料特性存在差异,在制造过程中会引入封装应力对传感器的性能产生不利影响。采用硅硅键合技术制造压力传感器核心部件的微结构,以同质材料替代异质材料实现器件的封装,可有效减少封装应力,提升压力传感器的性能。文中通过结合硅压阻压力敏感芯片的制造工艺和硅硅键合工艺,实现了敏感芯片与硅衬底间的硅硅键合,键合强度达到体硅强度。研制的差压型压力敏感芯片装配成传感器的零点温度漂移下降60%,静压误差下降约1个数量级。

  • 单位
    沈阳仪表科学研究院有限公司