提出了一种插入损耗较低、介质薄膜生长在桥膜上的新结构微波MEMS开关.该开关桥膜由介质/金属/硅三种薄膜构成,并采用键合和自停止腐蚀工艺成功制备.详细论述该开关的原理、设计和制备过程.磁控溅射制备出介电常数为24的Ta2O5作为介质薄膜,利用光刻剥离技术使该介质薄膜图形化.实验结果显示,这种介质薄膜在桥膜上的新结构开关的插入损耗较低,在传输线金属薄膜厚度仅为0.5μm的情况下,频率为2GHz时插入损耗仅为0.06dB,在直流到20GHz的频率范围内插入损耗均低于0.5dB.
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