2μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展

作者：谢圣文; 杨成奥; 黄书山; 袁野; 邵福会; 张一; 尚金铭; 张宇; 徐应强; 倪海桥; 牛智川

来源：红外与激光工程, 2018, 47(05): 23-31.

DOI：10.3788/IRLA201847.0503003

• 大功率半导体激光
• 2μm
• GaSb基

2μm波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升,综述和讨论了2μm波段GaSb基激光器结构的发展过程,介绍了目前国内外的研究状况,讨论和分析了GaSb基激光器提升功率、效率的主要技术问题。并详细介绍了该领域近年来在传统激光器中引入的两种新结构,分析了其技术优势。指出目前2μm波段GaSb基大功率激光器面临瓶颈,并讨论了其发展趋势。

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学