20～26 GHz硅基氮化镓可变增益低噪声放大器

作者：江兰兰; 陈宏尘; 朱浩慎; 冯文杰; 车文荃; 薛泉

来源：南京信息工程大学学报(自然科学版), 2021, 13(04): 413-419.

DOI：10.13878/j.cnki.jnuist.2021.04.004

• GaN HEMT
• 微波单片集成电路
• 低噪声放大器
• 可变增益放大器

基于100 nm硅基氮化镓（GaN）工艺,本文设计并实现了一款工作频段为20～26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器（VGLNA）.该放大器采用三级共源级级联来实现高增益,并通过调节第二、第三级的栅极偏置实现增益控制.测试结果表明,该放大器在工作频段内实现了超过20 dB的增益可变范围和±1.5 dB的增益平坦度,在增益可变范围内功耗为126 mW至413 mW.在最大增益状态下,该放大器在整个频段内可实现大于20 dB的小信号增益且噪声系数（NF）为2.95 dB至3.5 dB,平均输出1dB压缩点（OP1dB）约为14.5 dBm.该芯片的面积为2 mm2.

• 单位
  南京理工大学; 华南理工大学