摘要
采用磁控溅射方法在单面附有300 nm SiO_(2)的单晶硅基片上制备了以Pt为底层的CoSiB/Pt多层膜样品。CoSiB/Pt层周期数确定为2,对样品底层厚度及周期层厚度进行调制,根据反常霍尔效应系统地研究了CoSiB/Pt多层膜垂直磁各向异性(perpendicular magnetic anisotropy, PMA)及薄膜的热稳定性。通过对这些参数的调节获得了具有良好垂直磁各向异性的最佳多层膜样品结构Pt(1)/[CoSiB(0.5)/Pt(1)]_(2),底层Pt和周期层中CoSiB、Pt的最佳厚度分别为1,0.5,1 nm。对最佳样品进行XRD图谱分析,磁滞回线测量以及一系列退...
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