基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究

作者:苗湘; 闫坤坤; 黄歆; 姜靖雯; 黄小东; 王文
来源:压电与声光, 2022, 44(05): 718-721.
DOI:10.11977/j.issn.1004-2474.2022.05.011

摘要

使用结构为42°Y-X LiTaO3(600 nm)/SiO2(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4 000;滤波器的中心频率为1 370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4%,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55~+85℃时优于-9×10-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性。

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