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摘要
本发明公开了一种硅基结型积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法。该器件设置积累介质层,覆盖P型基区与N+漏区之间的区域；在积累介质层上形成外延层,在外延层的左侧端部、右侧端部分别通过离子注入形成两处P型区,并在所述外延层中邻接右端P型区通过离子注入形成N+区；在栅介质层表面形成栅极,栅极与左端P型区邻接；在N+漏区表面的右端区域形成漏极,漏极与右端P型区邻接。本发明通过结型积累层结构可产生电子,使得导通电阻不依赖于掺杂浓度,从而大幅度降低器件的导通电阻。通过缓冲层调制漂移区的电场,使电场分布更均匀,可大幅度提高器件的击穿电压。
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