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摘要
针对浮栅晶体管在不同射线下的响应差异问题，进行了60Co-γ射线、25 MeV质子和1 MeV电子的辐照试验，研究了不同射线下浮栅晶体管的剂量响应差异。采用蒙特卡罗方法对器件灵敏区的吸收剂量进行了修正。通过中带电压分离出界面陷阱电荷，分析了不同射线下电离辐射响应差异的微观机理。研究结果表明，在等效剂量下，质子辐照后电离响应特性与60Co-γ射线较为接近，电子辐照后响应程度略低于质子和60Co-γ射线。对器件灵敏区的吸收剂量进行修正后，三种射线下的剂量响应特性差异降低。质子辐照后界面陷阱电荷数量多于60Co-γ射线和电子射线。试验研究为浮栅晶体管辐照传感器的研制提供参考。
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