发光层厚度对基于CdSSe/ZnS量子点LED性能的影响

作者：胡俊涛; 冯鹏; 梅文娟; 杨劲松; 胡晟; 牛永鹏

来源：半导体光电, 2017, 38(04): 493-501.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.006

• 量子点
• 发光层厚度
• 量子点发光二极管
• 器件性能

采用粒径约为10nm的CdSSe/ZnS量子点层作为发光层,制备了叠层结构的量子点发光器件,研究了量子点层厚度对其薄膜形貌及量子点发光二极管性能的影响。原子力显微镜测试结果表明:量子点层过厚时,量子点颗粒发生团聚,且随着厚度的降低,团聚现象减弱;当量子点层厚度和量子点粒径相当时(约为10nm),量子点呈单层排列且团聚现象基本消失;而量子点层厚度低于10nm时,薄膜出现孔洞缺陷。器件的电流-电压-亮度等测试结果表明:量子点发光二极管中量子点层厚度与器件的光电特性密切相关,量子点层厚度为10nm的器件光电性能最优,具有最低的启亮电压4.2V,最高的亮度446cd/m2及最高的电流效率0.2cd/A。这种通过控制旋涂转速改变量子点层厚度的方法操作简单、重复性好,对QD-LED的研究具有一定应用价值。

• 单位
  中航华东光电有限公司; 合肥工业大学