集成电路Cu互连中Nb_xSi_(1-x)扩散阻挡层的制备与热稳定性研究

作者：邓鹏远; 裴迪

来源：哈尔滨轴承, 2017, 38(04): 45-48.

• Cu互连
• NbxSi1-x薄膜
• 阻挡层
• Cu/NbxSi1-x/Si系统
• 磁控溅射

随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的互连材料。然而,Cu和Si元素扩散造成的污染是无法避免的。为了阻止Cu的扩散同时提高Cu与Si之间的粘附性,在Cu互连线外添加一层扩散阻挡层的技术十分必要。寻找能够有效克制Cu扩散的阻挡层材料已经成为近年来Cu互连技术研究中的重点研究之一。本文采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术在单晶Si（100）衬底上制备了NbxSi1-x/Si系统和Cu/NbxSi1-x/Si系统并对不同退火温度热处理后的Cu/NbxSi1-x/Si系统的电阻率和热稳定性进行了探究。

• 单位
  银川能源学院; 中国船舶重工集团公司