研究了一种双层有源层的氧化物IGZTO TFT器件在光照下的特性，对比单层有源层的氧化物TFT，这种双层有源层的氧化物上层比较稳定，光照下产生的光生空穴与自由电子复合的数量大大减少，起导电作用的空穴载流子较多，故表现出了较大幅度的电流提升。进一步的研究展示了这种双层有源氧化物TFT在不同光照条件下的特性曲线，可为光敏器件提供不同的应用场景。
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