在数值计算软件ANSYS热分析环境里采用有限单元法(FEM)建立温度分布计算模型,该模型考虑键合引线的热传导、芯片表面的热辐射和与空气自然对流所散失的热量,得到模块瞬态温度分布和热流密度云图,利用红外热成像仪探测IGBT模块芯片表面瞬态温度分布云图并分析了温升特征,探测结果表明芯片表面高温区域为容易引起器件失效结构部位的热结合处,并就探测结果提出提高IGBT应用可靠性的方法,最后采用所建分布计算模型预测不同工作条件下芯片的温升和稳态热阻。
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