基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究

作者：王琪; 张金龙; 王立军; 刘云

来源：发光学报, 2011, (12): 1276-1280.

• 固体掩膜版
• 电感耦合等离子体
• InP
• 干法刻蚀 hard mask
• inductivity coupled plasma
• InP
• dry etching

研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450～1 200 nm/min,InP对金属镍的选择性刻蚀比值为175～190。掩膜版的选择与制备方法适用于基于ICP系统的任何半导体材料的干法刻蚀工艺。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所