SnO2透明导电薄膜掺杂改性的研究进展

作者：刘咏梅; 赵灵智; 刘雪花

来源：电子工艺技术, 2015, 36(06): 315-318.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2015.06.002

• SnO2薄膜
• 制备
• 掺杂改性

Sn O2薄膜是一种宽禁带半导体材料(3.6 e V),且在平板显示器、太阳能电池和光电子器件等领域有着广阔的应用前景,引起了国内外极大的关注。目前,所制备的本征Sn O2薄膜的载流子浓度为8.52×1020 cm-3;经过n型化后Sn O2薄膜的载流子浓度可达1021 cm-3。所制备的本征Sn O2薄膜的带隙为3.6 e V,经过p型化后Sn O2薄膜的带隙可达3.8 e V。鉴于Sn O2导电薄膜光电性质的重要性,就Sn O2薄膜的制备方法、n型化和p型化掺杂改性进行了综述。

• 单位
  广州大学华软软件学院; 华南师范大学